试题题干
中国电科二所生产大楼内，100台中国电科二所自主研发和生产的碳化硅（SiC）单晶生长设备高速运行，Sic单晶在这些设备里生长。作为一种第三代半导体材料，SiC单晶以其特有的高临界击穿场强、高电子迁移率、高热导率等特性，成为制作高温、高频、大功率、光电集成器件的理想材料，是新一代雷达、卫星通讯、通讯基站等重要领域的核心材料，应用前景广阔。据了解，高纯SiC粉料是SiC单晶生长的关键原材料，单晶生长炉是SiC单晶生长的核心设备，高质量的SiC单晶除需高纯SiC粉料和单晶生长炉，还需对生产工艺进行设计、调试和优化。
根据这段文字，关于SiC单晶说法正确的是：（ ）
参考答案
正确答案：
试题解析
A项：由“作为一种第三代半导体材料，SiC单晶以其特有的高临界击穿场强、高电子迁移率、高热导率等特性”可知，高临界击穿场强等并非第三代半导体材料的共性，而是SiC单晶的特性，偷换概念，排除。
B项：“高温加热条件下生长”无中生有，排除。
C项：由“高质量的SiC单晶除需高纯SiC粉料和单晶生长炉，还需对生产工艺进行设计、调试和优化”可知，该项表述正确，当选。
D项：由“100台中国电科二所自主研发和生产的碳化硅（SiC）单晶生长设备高速运行”可知，碳化硅（SiC）单晶生长设备为中国电科二所自主研发和生产，而并非SiC单晶这一物质，该项表述错误，排除。故正确答案为C。